西安科技大学学报

2020, v.40;No.172(02) 298-303

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优化n型接触极钝化多晶硅太阳能电池的硼扩散工艺
Optimization of boron diffusion in n-type polysilicon passivated contact solar cells

李琛;Udo R■mer;Alison Lennon;

摘要(Abstract):

光伏产业对高效率和低成本太阳能电池的需求促进了太阳能电池制造工艺的不断优化。在制造过程中,控制硅晶片尺寸和硅中杂质浓度的需求变得越来越重要。目前,太阳能电池的标准化生产线包括采用柴可拉斯基工艺制作硅锭,将硅锭切块,晶圆切片,纹理化,发射极扩散,边缘隔离,抗反射涂层,丝网印刷,退火以及最终测试。该生产线的每个步骤都可以分别进行优化,以提高太阳能电池的效率。文中主要研究n型接触极钝化多晶硅太阳能电池的硼扩散过程,研究扩散曲线对太阳能电池效率的影响。首先,使用EDNA2进行仿真模拟以确定重掺杂区的参数,进而使用Quokka软件进行进一步模拟,从而获得光伏参数开路电压(V_(OC))和填充因数(FF),并确定最佳扩散温度和时间,为后续的实验节省大量时间并提供指导方案。通过对扩散温度和氧化时间的分析,优化扩散过程中的相关参数,提高太阳能电池的性能。最终将实验结果与模拟结果相对应,判断工艺优化是否有效,符合预期结果。

关键词(KeyWords): 硼扩散温度;氧化时间;EDNA 2;Quokka;光电转化效率

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 李琛;Udo R■mer;Alison Lennon;

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DOI: 10.13800/j.cnki.xakjdxxb.2020.0215

参考文献(References):

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