西安科技大学学报

2005, (02) 60-63

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电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究
The conductive mechanism and performance of the heating element porous SiC

樊子民,王晓刚,强云霄

摘要(Abstract):

研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降。讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理。

关键词(KeyWords): 电致发热;碳化硅;多孔陶瓷;导电机理

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 樊子民,王晓刚,强云霄

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